25 марта 2017 г. 7:37:08

Корпуса импульсных диодов.


Типичными представителями данной группы диодов являются смесительные получение сигнала суммы или разности двух частот , детекторные выделение постоянной составляющей СВЧ-сигнала и переключательные управление уровнем мощности сверхвысокочастотного сигнала диоды. Маркировка диодов В зависимости от области применения полупроводниковые диоды делят на следующие основные группы:
Корпуса импульсных диодов

При использовании высоколегированного кремния высокая концентрация примесей, а следовательно, и свободных носителей заряда напряжение стабилизации понижается, а с уменьшением степени легирования кремния — повышается. В схемах двуполярной стабилизации напряжения применяется симметричный стабилитрон, условное графическое обозначение которого показано на рис.
Корпуса импульсных диодов

Выпрямительный диод, условное графическое обозначение которого приведено на рис. Импульсный диод — полупроводниковый диод, имеющий малую длительность переходных процессов и использующий, так же как и выпрямительный диод, при своей работе прямую и обратную ветви ВАХ. Интерпретация четвертого элемента маркировки силовых диодов по ГОСТ Пятый элемент — цифра от 1 до 5 — конструктивное исполнение корпуса прибора:
Корпуса импульсных диодов

В схемах двуполярной стабилизации напряжения применяется симметричный стабилитрон, условное графическое обозначение которого показано на рис. Второй элемент — цифры, указывающие номинальный средний ток прибора в амперах. В технологии изготовления диодов определяющей является методика внесения примесей в полупроводник, а также способ соединения кристалла полупроводника с металлическими контактами.
Корпуса импульсных диодов

Второй элемент — буква, определяющая функциональное назначение свойства прибора: ГОСТ устанавливает унифицированное обозначение силовых полупроводниковых приборов из следующих шести элементов.
Корпуса импульсных диодов

Четвертый элемент — цифры, обозначающее значение прямого среднего падения напряжения в сотых долях вольта при номинальном токе. Одновременно толщину базы делают минимально возможной для достижения минимального времени восстановления диодов.
Корпуса импульсных диодов

Ч — высокочастотный диод, для диодов с временем обратного восстановления менее 5 мкс для низкочастотных приборов дополнительное буквенное обозначение не применяется ; И — импульсный диод с временем включения менее 4 мкс. Условное графическое обозначение излучающих диодов показано на рис.
Корпуса импульсных диодов

При прямом напряжении ключ замкнут, при обратном — разомкнут. Условное обозначение стабилитрона и стабистора показано на рис. Первый элемент — буквы, описывающие тип прибора, далее при необходимости следуют цифры, указывающие номер разработки, например:
Корпуса импульсных диодов

В качестве выпрямительных применяются также диоды, выполненные на выпрямляющем переходе металл-полупроводник диоды Шотки. Для повышения быстродействия уменьшения tвос импульсные диоды изготовляют в виде точечных структур, что обеспечивает минимальную площадь, р-n-перехода, а следовательно, и минимальное значение зарядной емкости Cзар.
Корпуса импульсных диодов

Принцип действия обеих групп диодов одинаков и базируется на самопроизвольной рекомбинации носителей заряда при прямом токе через выпрямляющий электрический переход. Отличие стабилитрона от стабистора заключается в используемой ветви ВАХ для стабилизации напряжения. В качестве импульсных находят применение и диоды Шотки.
Корпуса импульсных диодов

Стабилитроны и стабисторы изготовляют, как правило, из кремния. Второй элемент — цифры, указывающие номинальный средний ток прибора в амперах.
Корпуса импульсных диодов

Наиболее распространены три системы: Третий элемент — цифры, указывающие соответствующий класс прибора по номинальному напряжению в сотнях вольт. Применяемые для этой цели диоды называют стабилитронами.
Корпуса импульсных диодов

В качестве импульсных находят применение и диоды Шотки. В технологии изготовления диодов определяющей является методика внесения примесей в полупроводник, а также способ соединения кристалла полупроводника с металлическими контактами.

Такой диод образуется, например, в месте контакта небольшой пластины полупроводника и острия металлической пружины точечно-контактные диоды. Переходные процессы в полупроводниковом диоде Поэтому кроме параметров Iпр ср max, Uобр, Uпр характеризующих выпрямительные свойства, для импульсных диодов вводится параметр tвос, характеризующий быстродействие. Варикап — полупроводниковый диод, действие которого основано на использовании зависимости зарядной емкости Cзар от значения приложенного напряжения.

Комментарии (1):

05.04.2017, 08:12

последняя очень душевная!
newsrochou


Все заметки категории Мысли

Полезное:
Годнота:

| mufta-kitai.ru © Сентябрь 2018 | Потребление памяти: 3,71 Mb |